• <dd id="ueaoa"></dd>
  • <center id="ueaoa"></center>
    <nav id="ueaoa"><strong id="ueaoa"></strong></nav>

    東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業設備效率和小型化

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,面向工業應用推一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiCMOSFET芯片(具有3300V800A特征)的模塊---MG800FXF2YMS3,該產品將于20215月投入量產。   

    為達到175℃的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。

    ?  應用

    ?用于軌道車輛的逆變器和轉換器

    ?可再生能源發電系統

    ?工業電機控制設

    ?  特性

    ?源額定電壓:VDSS3300V

    ?漏極額定電流:ID800A雙通道

    ?寬通道溫度范圍:Tch175

    ?低損耗:

    Eon250mJ(典型值)

    Eoff240mJ(典型值)

    VDS(on)sense1.6V(典型值)

    ?低雜散電感:Ls12nH(典型值)

    ?高功率密度的小型iXPLV封裝

     

    ?  主要規格

    (除非另有說明,@Tc25℃)

    器件型號

    MG800FXF2YMS3

    封裝

    iXPLV

    額定最大絕對值

    漏源電壓VDSSV

    3300

    柵源電壓VGSSV

    +25-10

    漏極電流(DCIDA

    800

    漏極電流(脈沖)IDPA

    1600

    通道溫度Tch(℃)

    175

    隔離電壓VisolVrms

    6000

    電氣特性

    漏源電壓導通電壓(感應)

    VDS(on)sense典型值V

    VGS+20V時,

    ID800A

    1.6

    源漏電壓導通電壓(感應)

    VSD(on)sense典型值V

    VGS+20V時,

    IS800A

    1.5

    源漏電壓關斷電壓(感應)

    VSD(off)sense典型值V

    VGS-6V時,

    IS800A

    2.3

    雜散電感模塊LSPN典型值(nH

    12

    導通開關損耗

    Eon典型值(mJ

    VDD1800V時,

    ID800A、

    Tch150

    250

    關斷開關損耗

    Eoff典型值(mJ

    VDD1800V時,

    ID800A、

    Tch150

    240






     

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,面向工業應用推一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiCMOSFET芯片(具有3300V800A特征)的模塊---MG800FXF2YMS3,該產品將于20215月投入量產。

     

                                                 

     

    為達到175℃的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。

     

    ?  應用

    ?用于軌道車輛的逆變器和轉換器

    ?可再生能源發電系統

    ?工業電機控制設

     

    ?  特性

    ?源額定電壓:VDSS3300V

    ?漏極額定電流:ID800A雙通道

    ?寬通道溫度范圍:Tch175

    ?低損耗:

    Eon250mJ(典型值)

    Eoff240mJ(典型值)

    VDS(on)sense1.6V(典型值)

    ?低雜散電感:Ls12nH(典型值)

    ?高功率密度的小型iXPLV封裝

     

    ?  主要規格

    (除非另有說明,@Tc25℃)

    器件型號

    MG800FXF2YMS3

    封裝

    iXPLV

    額定最大絕對值

    漏源電壓VDSSV

    3300

    柵源電壓VGSSV

    +25-10

    漏極電流(DCIDA

    800

    漏極電流(脈沖)IDPA

    1600

    通道溫度Tch(℃)

    175

    隔離電壓VisolVrms

    6000

    電氣特性

    漏源電壓導通電壓(感應)

    VDS(on)sense典型值V

    VGS+20V時,

    ID800A

    1.6

    源漏電壓導通電壓(感應)

    VSD(on)sense典型值V

    VGS+20V時,

    IS800A

    1.5

    源漏電壓關斷電壓(感應)

    VSD(off)sense典型值V

    VGS-6V時,

    IS800A

    2.3

    雜散電感模塊LSPN典型值(nH

    12

    導通開關損耗

    Eon典型值(mJ

    VDD1800V時,

    ID800A、

    Tch150

    250

    關斷開關損耗

    Eoff典型值(mJ

    VDD1800V時,

    ID800A、

    Tch150

    240






     


    相關文章